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紧要利好 刚刚公告!英伟达引爆了一只港股!

发布日期:2025-09-03 12:02    点击次数:125

  

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  英伟达,引爆了一只港股!

  8月1日,港股英诺赛科股价短暂放量拉升,盘中涨幅一度突出60%,市值最高碎裂640亿港元。放肆收盘,英诺赛科股价涨幅收窄至30.91%

  音讯面上,近日,英伟达(NVIDIA)官网更新800V直流电源架构联结商名录,中国氮化镓龙头企业——英诺赛科成为其芯片供应商。有业内东谈主士指出,这意味着英伟达和英诺赛科老成达成深度联结。8月1日晚间,英诺赛科阐明,公司已于近日与英伟达达成联结,皆集推进800 VDC(800伏直流)电源架构在AI数据中心的范畴化落地。

  值得眷注的是,本年5月份,好意思国的氮化镓(GaN)功率芯片企业纳微半导体告示与英伟达就下一代800V高压直流供电架构张开联结的音讯传开后,股价高涨超280%。

  放量大涨

  8月1日盘中,港股英诺赛科直线拉升,股价最高涉及72港元/股,涨幅一度达到63.64%。放肆收盘,股价高涨30.91%报57.6港元/股,总市值为515亿港元。英诺赛科全天成交额突出42亿港元,较前一个交游日放量超1800%。

  近日,英伟达(NVIDIA)官网更新800V直流电源架构联结商名录,英诺赛科入选为芯片供应商,两边将联袂推进800V直流(800 VDC)电源架构在AI数据中心的范畴化应用。据了解,英伟达上述项指标芯片供应商还包括:ADI公司、英飞凌、MPS、纳微半导体、安森好意思、瑞萨电子、罗姆半导体、意法半导体、德州仪器。

  据英伟达官网先容,AI使命负载的指数级增长,正在加多数据中心的功率需求。传统的54V机架内配电专为千瓦(KW)-scale机架联想,无法解救行将插足当代AI工场的兆瓦(MW)-scale机架。从2027年运转,英伟达将当先向800V HVDC数据中心电力基础标准过渡,以解救1MW及以上的IT机架。英伟达正在与数据中心动力生态系统联结,参谋已矣这一宗旨所需的立异和变革。

  8月1日晚间,英诺赛科在港交所公告称,公司已于近日与公共AI工夫指引者NVIDIA(英伟达)达成联结,皆集推进800 VDC(800伏直流)电源架构在AI数据中心的范畴化落地。该架构是英伟达针对明天高效供电兆瓦级狡计基础标准而稀薄联想的新一代电源系统,比较传统54V电源,在系统结尾、热损耗和可靠性方面具有显赫上风,可解救AI算力100-1000倍的升迁。

  英诺赛科暗示,公司的第三代GaN器件具备出色的高频、高结尾与高功率密度等特色,为英伟达800 VDC架构提供从800V输入到GPU结尾,隐私15V到1200V的全链路氮化镓电源贬责决策。跟着GaN工夫与英伟达800 VDC供电架构的会通,明天几年,AI数据中心将已矣从千瓦级到兆瓦级的飞跃,开启更高效、更可靠、更环保的AI狡计期间。

  值得眷注的是,当地时期7月29日,半导体巨头安森好意思也对外告示,公司与英伟达达成联结,加快下一代AI数据中心向800V直流电源贬责决策的过渡。据悉,这一行型的中枢是一种新式的配电系统,必须在每次电压调度中以最小损耗运送大批电力。安森好意思暗示,其智能电源贬责决策是为下一代AI数据中心提供电力供给的最关节一环,可在每个阶段已矣高结尾、高功率密度的电能调度。

  此前5月21日,杠杆倍数好意思国功率器件大厂纳微半导体告示,与英伟达就其下一代800V高压直流供电架构张开联结,以解救为其GPU(举例 Rubin Ultra)供电的“Kyber”机架级系统。据悉,纳微半导体的氮化镓和碳化硅工夫将在这一联结中发扬关节作用。

  受上述音讯影响,5月22日,纳微半导体的股价暴涨164%,为该公司史上最大单日涨幅。随后两个月,纳微半导体的股价继续颠簸攀升,最新股价报7.33好意思元/股,较联结音讯败露前高涨超280%。

  有何来头?

  公开尊府涌现,英诺赛科建造于2015年12月,是一家奋力于第三代半导体硅基氮化镓研发与产业化的高新工夫企业。公司领受IDM全产业链时势,集芯片联想、外延助长、芯片制造、测试与失效分析于一体,领有公共最大的8英寸硅基氮化镓晶圆的分娩智商。2024年12月30日,英诺赛科在香港皆集交游所主板挂牌上市。

  据了解,英诺赛科的氮化镓居品用于各式低中高压应用场景,居品研发范围隐私15V至1200V,涵盖晶圆、分立器件、IC、模组,并为客户提供全氮化镓贬责决策。建造于今,英诺赛科领有近700项专利及专利苦求,居品可平素应用于消耗电子、可再机动力及工业应用、汽车电子及数据中心等前沿领域。

  本年4月份,英诺赛科败露居品拓荒进展称,公司发布了自主拓荒的1200V氮化镓(GaN)居品,该款居品凭借宽禁带特色,在高压高频场景上风显赫,具备零反向收复电荷的中枢上风,有助于进一步推进动力调度系统的结尾升迁和袖珍化,可平素应用于新动力汽车、工业以及AI数据中心等领域。该款居品在新动力汽车800V平台,可升迁车载充电结尾并减轻体积,扩大续航里程并裁汰老本;在高压母线的AI数据中心架构及工业电源领域,有助于已矣数据中心电源高效高密度的调度以及工业电源的袖珍化和高效化。经公司客户考据,该居品已在中大功率电源方面已矣量产,下一步将被应用在新动力汽车、AI数据中心等领域。

  7月29日,英诺赛科败露,公司与皆集汽车电子(皆集电子)告示建造皆集执行室,哄骗GaN工夫在尺寸、分量和结尾方面的上风,拓荒先进的新动力汽车电力电子系统。据先容,收货于GaN工夫相较于传统硅基功率器件的上风,GaN功率器件在电动汽车、可再机动力系统、东谈主工智能及数据中心电源领域应用平素。与传统硅比较,领受GaN的调度器和逆变器功率损耗可裁汰高达10倍,显赫升迁了结尾、功率密度并裁汰系统老本,已矣体积更小、分量更轻的上风,并减少二氧化碳排放。

  财报数据涌现,2024年,英诺赛科的销售收入为8.29亿元,同比增长39.8%,主若是由于市集需求推进居品销售额加多。其中,外洋销售收入1.26亿元,同比增长118.1%。2024年,公司净利耗损10.46亿元,上年同时耗损11.02亿元。



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